江豐電子(300666)7月10日晚間公告,擬定增募資不超過19.48億元,用于加碼半導體精密零部件、高端靶材,建設研發中心以及補充流動資金等。
預案顯示,江豐電子計劃向特定對象發行的股票不超過7959.62萬股(含本數),募資扣除2000萬元的財務性投資后,本次發行的募集資金總額不超過19.48億元(含本數),用于年產5100個集成電路設備用靜電吸盤產業化項目、年產12300個超大規模集成電路用超高純金屬濺射靶材產業化項目、上海江豐電子研發及技術服務中心項目及補充流動資金及償還借款。
按照本次發行的上限測算,本次發行完成后,公司實際控制人姚力軍合計控制上市公司股份將從24.57%降至18.90%,仍為公司實際控制人。本次發行不會導致公司控制權發生變化。
募投項目中,靜電吸盤項目總投資額為10.98億元,擬使用募集資金9.98億元,旨在實現靜電吸盤產品的量產和銷售,以緩解我國高端靜電吸盤供求失衡的局面;超高純金屬濺射靶材項目總投資額為3.5億元,擬使用募集資金2.7億元,以建設公司在韓國的生產基地,加速公司全球化戰略布局,實現對SK海力士、三星等重要客戶覆蓋,提升公司屬地化服務能力,為公司的國際化發展戰略奠定基礎。
另外,公司還將建設上海研發及技術服務中心,旨在進一步提升公司的技術實力和產品國際競爭力,同時打造區域性更強的綜合性服務中心;公司擬使用本次募集資金中的5.8億元補充流動資金及償還借款,以滿足公司日常經營資金需要、優化資產結構,增強公司的抗風險能力。
從行業格局來看,在半導體超高純金屬濺射靶材、關鍵設備及精密零部件等重要領域,全球仍呈現寡頭競爭格局,由美國、日本等少數幾家企業占據絕大部分市場份額。在超高純金屬濺射靶材領域,江豐電子打破了我國半導體領域靶材長期依賴進口的局面,實現了對行業內國際領先企業從“追趕”到“并跑”的跨越式發展,但超高純金屬濺射靶材國產化率較“十三五”規劃提出的目標仍有一定距離,公司表示需持續加大研發創新投入及產能建設,推動該領域國產化率的進一步提升。
另外,公司已計劃進一步加大投入,補齊半導體零部件產業短板。
靜電吸盤是一種適用于真空環境或等離子體環境的超潔凈晶圓片承載體,其利用靜電吸附原理進行超薄晶圓片的平整均勻夾持,此外還發揮散熱作用,廣泛應用于光刻機、刻蝕機、薄膜沉積設備等關鍵工藝環節。靜電吸盤的性能及品質會直接影響芯片制造的良率和效率,屬于消耗類零部件,市場需求大。但靜電吸盤整體國產化率不足10%。同時,近年來,受國際貿易及技術管控等政策影響,海外企業對我國半導體設備及零部件的出口管控不斷升級,作為半導體關鍵設備及晶圓制造環節的重要部件,靜電吸盤國產化率水平亟需進一步提升。
江豐電子擬通過國內靜電吸盤產業化項目的建設實施,致力突破生產靜電吸盤關鍵材料技術瓶頸,從源頭上解決靜電吸盤核心材料和設備“卡脖子”難題,最終推動緩解我國高端靜電吸盤供求失衡的局面,填補國內半導體關鍵零部件短板。
江豐電子也在加速推進公司國際化戰略布局。今年4月,為提高境外全資孫公司KFAM CO.,LTD.的競爭實力,更好地建設韓國生產基地,江豐電子公司擬通過香港江豐對韓國江豐增加投資3.5億元,即對韓國江豐的投資總額由不超過3.5億元增加至不超過7億元。